Обрыв связи CNC 3018 и импульсные помехи

[bobr25]

Я что то не понял! Там полевик или мосфет? Я если что то схемой углубленно не интересовался. Проблемы решаю по мере поступления

поправьте если поиск не прав

 

[Бор33]

Скорее это коммутационные процессы полевика на мотор.

Я не совсем понял , причем тут полевик или мосфет?

 

[Robinson1957]

Я что то не понял! Там полевик или мосфет?

А это не один ли хрен?
Полево́й (униполя́рный) транзи́стор с изоли́рованным затво́ром (англ. metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, сокращённо «MOSFET»)

 

[Дядя Вова]

Наличия полевика не исключаю по определению, но он там в Мосфете стоит не один и потому мне стало не понятно. Может в схеме что то изменилось?
Вообще то я бы выпаял его из схемы. поставил его на отдельной плате с опторазвязкой. Тем самым разделить питание контроллера и питание шпинделя по обоим полюсам.

 

[Бор33]

Вообще то я бы выпаял его из схемы. поставил его на отдельной плате с опторазвязкой. Тем самым разделить питание контроллера и питание шпинделя по обоим полюсам.

У Inectra так и сделано. Считай питание шпинделя на отдельной плате с опторазвязкой.

 

[Adagumer]

Всех их заменю на экранированные

Экран соединять с общим проводом только возле питальника, на другом конце экран должен висеть в воздухе!

 

[Бор33]

Экран соединять с общим проводом только возле питальника, на другом конце экран должен висеть в воздухе!

Я это знаю еще с года 1982 когда паял первый усилок...борьба с фоном и шумами, это было серьезно.

оффтоп

 

[AnLaz]

А это не один ли хрен?

Здесь описано... Сам, толком не понял.

 

[Robinson1957]

Здесь описано..

Полнейшая хрень без объяснения. Вначале были полевики с p-n переходом на затвор, но они были в основном малосигнальные и с ограничением на полярность напряжения на затворе, позже пошел класс изолированных затворов и вот тут уже все достоинства и выплыли. Появилась возможность эффективно управлять и сверхнизкими и приличными мощностями. И, даже, появился новый класс полупроводниковых приборов со свойствами и полевика с изолированным затвором и биполярного транзистора, IGBT.

 

[AnLaz]

Я и говорю, сма не понял...

 

[Polozoff]

Вы знаете, у меня была проблема с обрывом связи и помехами. Выяснилось, что обрыв идёт со стороны USB платы ЧПУ. Выяснилось, что плохой контакт разъёма на плате. Пропаял. Помогло. Но вот в Candle перестали отображаться машинные координаты. Через смартфон (прога GRBLControl) проблем нет. А вот Candle заглючила. Разбираюсь далее.

 

[frayd]

Полнейшая хрень без объяснения. Вначале были полевики с p-n переходом на затвор, но они были в основном малосигнальные и с ограничением на полярность напряжения на затворе, позже пошел класс изолированных затворов и вот тут уже все достоинства и выплыли. Появилась возможность эффективно управлять и сверхнизкими и приличными мощностями. И, даже, появился новый класс полупроводниковых приборов со свойствами и полевика с изолированным затвором и биполярного транзистора, IGBT.

А потом допилили технологию GaN и тут как началось....

 

[Robinson1957]

А потом допилили технологию GaN и тут как началось....

И каким боком нитрид галлия к кремнию относится, ещё бы и нанотрубки углеродные приплел.

 

[frayd]

И каким боком нитрид галлия к кремнию относится, ещё бы и нанотрубки углеродные приплел.

А вот к чему:

Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической структурой типа вюрцита. Прямозонный полупроводник с широкой запрещённой зоной — 3,4 эВ (при 300 K).

В 1993 году были получены первые экспериментальные полевые транзисторы из нитрида галлия[SUP][13][/SUP]. Сейчас эта область активно развивается. Сейчас нитрид галлия является перспективным материалом для создания высокочастотных, теплостойких и мощных полупроводниковых приборов[SUP][14][/SUP]. Большая ширина запрещённой зоны означает, что работоспособность транзисторов из нитрида галлия сохраняется при более высоких температурах, по сравнению с кремниевыми транзисторами[SUP][15][/SUP]. Из-за того, что транзисторы из нитрида галлия могут сохранять работоспособность при более высоких температурах и напряжениях, чем транзисторы из арсенида галлия, этот материал становится всё более привлекательным для создания приборов, применяемых в СВЧ усилителях мощности. Важными преимуществами транзисторов на основе этого полупроводника являются быстродействие в сравнении с изделиями, созданными по другим технологиям – MOSFET и IGBT, а также возможность работы при сильном напряжении и высокая надежность[SUP][16][/SUP].
Нитрид галлия является одним из самых востребованных и перспективных материалов современной электроники. Развитие технологий на основе этого полупроводника имеет стратегическое значение для таких отраслей, как телекоммуникации, автомобильная промышленность, промышленная автоматика и энергетика. По прогнозам ведущих аналитиков отрасли, среднегодовой темп роста мирового рынка силовой электроники на нитриде галлия до 2024 года составит 85 %.[SUP][21][/SUP]

В качестве подложки для нитрида галлия в полупроводниковых приборах используется сапфир, карбид кремния, а также алмаз.[SUP][9][/SUP]

З.Ы. я про кремний ни чего не говорил.

 

[at111]

Можно я пару вопросиков задам в тему?
Вот Бор33 писал про установку фильтра от микроволновки на 775 движок. Интересует вот что:
1. На сколько эффективно будет данное устройство на оси прям Z? Не, я понимаю, что чем ближе к источнику помех, тем лучше, но тем не менее, может кто-то уже это проверял.
2. Насколько такой фильтр эффективен на шпинделе 200 Ватт?
3. Как думаете, фильтр сетевой же с телевизора (старого трубочного Samsung) подойдёт для этих целей?